隨著半導體制造技術的不斷發展和超大規模集成電路設計制造能力的不斷提升，激光退火技術逐漸取代傳統爐管退火技術，成為半導體制造領域的主流技術。激光退火相對于傳統退火，具有選區加熱、閉環精準控溫、高能量密度、連續能量輸出穩定等特點，能夠滿足多種半導體晶圓退火工藝需求。

應用

激光退火（Laser Annealing）是28nm及以下邏輯芯片制造前道工序中不可缺少的關鍵工藝之一。該工藝采用近紅外波段半導體激光光源，通過多組不同功能的激光光學整形系統及光學勻化系統，在工作距離下可達成12mm*70μm的極窄線激光光斑，將形成的高能量密度極窄激光光斑照射到晶圓表面，在不到1毫秒的時間內將表層原子層加熱到1000°C以上再急速冷卻，從而有效減少前道工序中產生的晶圓電極缺陷，提高產品性能，提升晶圓生產良品率。

產品

炬光科技推出的DLight?S系列半導體集成電路晶圓退火系統，結合了產生光子的共晶鍵合技術、激光光源熱管理技術、熱應力控制技術以及調控光子的激光光束轉換技術和光場勻化技術，可生成一條線寬70μm，長寬比達160:1的近紅外波段極窄線光斑，提供高達1800W/mm2的連續能量輸出，在光斑長度方向上可達到＞95%的光斑均勻性和＞98%的連續輸出能量穩定性，同時還具備工藝點溫度監測，輸出光束質量在線檢測等附加功能。

其關鍵性能指標有（參考圖片測試數據）：

典型產品測試數據

DLight?S系列半導體集成電路晶圓退火系統

炬光科技將通過技術創新、卓越制造和快速響應，為成為全球可信賴的光子應用解決方案提供商而不斷努力。