2023年9月21日周四19：30，炬光科技光機(jī)系統(tǒng)技術(shù)專(zhuān)家華大成在光電匯直播平臺(tái)“光言萬(wàn)物”發(fā)表題為《光斑尺寸可調(diào)的高均勻性線(xiàn)光斑半導(dǎo)體激光器系統(tǒng)》的專(zhuān)題演講。

報(bào)告摘要

晶圓激光退火（Wafer Laser Annealing）是28nm及以下邏輯芯片制造前道工序中不可缺少的關(guān)鍵工藝之一。該工藝采用近紅外波段半導(dǎo)體激光光源，通過(guò)多組不同功能的激光光學(xué)整形系統(tǒng)及光學(xué)勻化系統(tǒng)，在工作距離下達(dá)成12mm*70μm的極窄線(xiàn)激光光斑，將形成的高能量密度極窄激光光斑照射到晶圓表面，在不到1毫秒的時(shí)間內(nèi)將表層原子層加熱到1000°C以上再急速冷卻，使晶圓表面局部形成超淺結(jié)和高激活結(jié)，從而有效減少前道工序中產(chǎn)生的晶圓電極缺陷，提高產(chǎn)品性能，提升晶圓生產(chǎn)良品率。

炬光科技推出的DLight?S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)，結(jié)合產(chǎn)生光子的共晶鍵合技術(shù)、激光光源熱管理技術(shù)、熱應(yīng)力控制技術(shù)以及調(diào)控光子的激光光束轉(zhuǎn)換技術(shù)和光場(chǎng)勻化技術(shù)，產(chǎn)生一條長(zhǎng)寬比達(dá)160:1的近紅外波段極窄線(xiàn)光斑，并在光斑長(zhǎng)度方向達(dá)到＞95%的能量均勻性和＞98%的能量穩(wěn)定性。應(yīng)用在半導(dǎo)體前道工序中的多種退火工藝。

DLight?S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)

演講人信息

華大成，浙江大學(xué)光學(xué)工程碩士畢業(yè)，光機(jī)系統(tǒng)技術(shù)專(zhuān)家，2019年加入炬光科技，長(zhǎng)期從事高精密線(xiàn)光斑激光系統(tǒng)開(kāi)發(fā)工作。